Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFK120N25P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 250 24 24 24 24 24 120 700 TO-264
IXFN180N20 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 10 10 10 10 10 100 700 SOT-227 B
IXFN39N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 220 220 220 220 220 39 700 SOT-227 B
IXTN8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 7.5 700 SOT-227 B
IXFN230N10 N-канальный силовой MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 6 6 6 6 6 230 700 SOT-227
IXTX8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 8 700 PLUS247
IXTK8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 8 700 TO-264
IXFN64N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 85 85 85 85 85 61 700 SOT-227 B
IXTN17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 SOT-227 B
IXTX17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 PLUS247
IXFN60N60 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 75 75 75 75 75 60 700 SOT-227 B
IXTK17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 TO-264
IXFL60N60 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 80 80 80 80 80 60 700 ISOPLUS264
IXFN64N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 96 96 96 96 96 50 700 SOT-227 B
IXTH10N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1500 1500 1500 1500 1500 10 695 TO-247
IXTT10N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1500 1500 1500 1500 1500 10 695 TO-268
IXFN26N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 460 460 460 460 460 23 695 SOT-227 B
IXTT16N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 240 240 240 240 240 16 695 TO-268
IXTH16N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 240 240 240 240 240 16 695 TO-247
IXFH28N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 260 260 260 260 260 28 695 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники