Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| AFT05MS006NT1 | Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
136 | 941 | 7.5 | 37.8 | 6 | 18.3 | 73 | Да |
|
| BLS6G3135S-20 | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
3100 | 3500 | 32 | - | 20 | 15.5 | 45 | Да |
|
| BLC8G27LS-180AV | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | - | 180 | 14 | 43.5 | Да |
|
| BLF6G13LS-250P | Силовой, двухтактный LDMOS-транзистор мощностью 250 Вт |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1300 | 1300 | 50 | - | 250 | 17 | 56 | Да |
|
| BLF8G10L-160 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
920 | 960 | 30 | - | 160 | 19.7 | 29 | Да |
|
| MRF8P20160HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1880 | 2025 | 28 | 50.3 | 37 | 16.5 | 45.8 | Да |
|
| BLF2324M8LS200P | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | - | 200 | 17.2 | 32 | Да |
|
| MRFE6VP61K25N | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1.8 | 600 | 50 | 61 | 1250 | 23 | 72.3 | Да |
|
| PD55025-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 500 | 12.5 | - | 25 | 14.5 | 58 | Да |
|
| BLF6G21-10G | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1 | 2200 | 28 | - | 10 | 19.3 | 31 | Да |
|
| MRF8P9040NBR1 | Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
728 | 960 | 28 | 46.2 | 4 | 19.1 | 19.9 | Да |
|
| BLF8G27LS-100P | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 100 | 18 | 33 | Да |
|
| MRF8S21100HR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 50 | 24 | 18.3 | 33.4 | Да |
|
| BLM7G1822S-20PB | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1805 | 2170 | 28 | - | 20 | 32.2 | 23.6 | Да |
|
| MD7IC1812N | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1805 | 2170 | 28 | 40.8 | 1.3 | 31.5 | 14 | Да |
|
| LET9045C | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 960 | 28 | - | 59 | 17.7 | 65 | Да |
|
| BLF7G20L-200 | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1805 | 1990 | 28 | - | 200 | 18 | 33 | Да |
|
| A2G22S160-01SR3 | Радиочастотный GaN транзистор семейства AIRFAST |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2200 | 48 | 51 | 32 | 19.6 | 38 | Да |
|
| AFT05MP075GNR1 | Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
136 | 520 | 12.5 | 48.5 | 70 | 18.5 | 68.5 | Да |
|
| BLS6G3135-20 | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
3100 | 3500 | 32 | - | 20 | 15.5 | 45 | Да |
|
