Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BLF6G15L-40RN | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1450 | 1550 | 28 | - | 40 | 22.5 | 13.5 | Да |
|
| MW6IC1940N | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1920 | 2000 | 28 | 46 | 4.5 | 28.5 | 13.5 | Да |
|
| BLF6G15L-40BRN | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1450 | 1550 | 28 | - | 40 | 22 | 13 | Да |
|
| MW7IC2220N | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 43 | 2 | 31 | 13 | Да |
|
| BLF6G22-45 | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2000 | 2200 | 28 | - | 45 | 18.5 | 13 | Да |
|
| BLM6G10-30 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
860 | 960 | 28 | - | 30 | 29 | 11.5 | Да |
|
| BLM7G24S-30BG | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2100 | 2400 | 28 | - | 30 | 31.5 | 11.3 | Да |
|
| BLM7G22S-60PBG | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2100 | 2400 | 28 | - | 60 | 31.5 | 11.3 | Да |
|
| BLM7G22S-60PB | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2100 | 2400 | 28 | - | 60 | 31.5 | 11.3 | Да |
|
| BLM6G22-30 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2100 | 2200 | 28 | - | 30 | 29.5 | 9 | Да |
|
| BLM6G22-30G | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2100 | 2200 | 28 | - | 30 | 29.5 | 9 | Да |
|
| BLF6G10S-45 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 45 | 23 | 8 | Да |
|
| BLF6G10-45 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 45 | 22.5 | 7.8 | Да |
|
