Компоненты группы LDMOS транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
BLC8G27LS-60AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2520 | 2620 | 28 | - | 60 | 15.5 | 48 | Да |
|
|
BLF7G27L-200PB | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2600 | 2700 | 32 | - | 200 | 16.5 | 29 | Да |
|
|
BLS6G2731S-130 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 3100 | 32 | - | 130 | 12 | 50 | Да |
|
|
BLS6G2731-6G | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 3100 | 32 | - | 6 | 15 | 33 | Да |
|
|
BLS6G2731S-120 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 3100 | 32 | - | 120 | 13.5 | 48 | Да |
|
|
BLS6G2731-120 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 3100 | 32 | - | 120 | 13.5 | 48 | Да |
|
|
MRF8P29300H | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2700 | 2900 | 30 | 55.1 | 320 | 13.3 | 50.5 | Да |
NI-1230 NI-1230S |
|
BLS8G2731LS-400P | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона | NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 3100 | 32 | - | 400 | 11 | 45 | Да |
|
|
BLS8G2731L-400P | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона | NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 3100 | 32 | - | 400 | 11 | 45 | Да |
|
|
BLS7G2730LS-200P | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона | NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 3000 | 32 | - | 200 | 12 | 48 | Да |
|
|
BLS7G2730L-200P | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона | NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 3000 | 32 | - | 200 | 12 | 48 | Да |
|
|
BLS7G2729LS-350P | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона | NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 2900 | 32 | - | 350 | 13 | 50 | Да |
|
|
BLS7G2729L-350P | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона | NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 2900 | 32 | - | 350 | 13 | 50 | Да |
|
|
BLS6G2735LS-30 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 3100 | 32 | - | 30 | 13 | 50 | Да |
|
|
BLS6G2735L-30 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 3100 | 32 | - | 30 | 13 | 50 | Да |
|
|
BLS7G2933S-150 | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона | NXP |
LDMOS транзисторы |
2900 | 3300 | 32 | - | 150 | 13.5 | 47 | Да |
|
|
BLS6G2933S-130 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2900 | 3300 | 32 | - | 130 | 12.5 | 47 | Да |
|
|
BLS7G3135LS-350P | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона | NXP |
LDMOS транзисторы |
3100 | 3500 | 32 | - | 350 | 12 | 43 | Нет |
|
|
BLS7G3135LS-200 | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона | NXP |
LDMOS транзисторы |
3100 | 3500 | 32 | - | 200 | 12 | 48 | Да |
|
|
BLS7G3135L-350P | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона | NXP |
LDMOS транзисторы |
3100 | 3500 | 32 | - | 350 | 12 | 43 | Да |
|