Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 26 27 28 29 30  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
A2T21H360-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2100 2170 28 54.8 63 16.2 51.8 Да NI-1230S-4L2L
AFT18H357-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1995 28 53.4 63 17.3 50.3 Да NI-1230S-4L2L
A2T07H310-24S Радиочастотный LDMOS транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
716 960 28 51 47 18.9 51.6 Да NI-1230S-4L2L
AFT26H250-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 53.6 50 14.1 44.5 Да NI-1230S-4L2L
A2T18H410-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 28 55.5 71 17.4 51.2 Да NI-1230S-4L2L
A2T20H330W24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 53.8 58 16.9 50.5 Да NI-1230S-4L2L
AFT18H356-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1995 28 56 63 15 46.7 Да NI-1230S-4L2L
MRF6VP11KH Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 150 50 60 1000 26 71 Да NI-1230-4
NI-1230S-4GULL
AFT18HW355SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 28 55.4 63 15.2 48.3 Да NI-1230S-4
MRFE6VP8600H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
470 860 50 57.8 125 19.3 30 Да NI-1230
NI-1230S
MRF8P9300HSR6 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
860 960 28 55.1 100 19.4 35.8 Да NI-1230S
MRF8S21200HSR6 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 52.5 48 18.1 32.6 Да NI-1230S
MRF6VP121KH Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
965 1215 50 60 1000 20 56 Да NI-1230
NI-1230S
MRF8P29300H Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2700 2900 30 55.1 320 13.3 50.5 Да NI-1230
NI-1230S
MRF6VP41KH Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
10 500 50 60 1000 20 64 Да NI-1230
NI-1230S
MRF6VP3450H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
470 860 50 56.5 90 22.5 28 Да NI-1230
NI-1230S
MRFE6VP5600H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 57.8 600 24.6 75.2 Да NI-1230
NI-1230S
MHT1001HR5 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2450 2450 28 52.8 190 13.2 46.2 Да NI-1230H-4S
MRFE6VP61K25H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 61 1250 22.9 74.5 Да NI-1230GS-4L
NI-1230H-4S
NI-1230S-4S
AFT09H310-04GSR6 Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 52.6 56 17.9 47.4 Да NI-1230GS-4L
Страницы: предыдущая 1 ... 26 27 28 29 30  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019