Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
BLF7G22LS-250P Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2110 2170 28 - 250 18.5 31 Да SOT-539B
BLL6G1214LS-250 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1200 1400 36 - 250 15 45 Да SOT-502B
MRF6V13250H Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
960 1500 50 54 250 22.7 57 Да NI-780
NI-780S
AFIC10275N Широкополосный интегральный усилитель на основе LDMOS-транзисторов Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
978 1090 50 54 250 32.6 61 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
BLF7G22L-250P Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2110 2170 28 - 250 18.5 31 Да SOT-539A
BLL6G1214L-250 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1200 1400 36 - 250 15 45 Да SOT-502A
BLF2425M7LS250P Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2400 2500 28 - 250 15 51 Да SOT-539B
BLF2425M7L250P Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2400 2500 28 - 250 15 51 Да SOT-539A
BLF7G20LS-250P Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1805 1880 28 - 250 18 35 Да SOT-539B
BLF7G20L-250P Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1805 1880 28 - 250 18 35 Да SOT-539A
BLF6G13LS-250P Силовой, двухтактный LDMOS-транзистор мощностью 250 Вт NXP LDMOS транзисторы
1300 1300 50 - 250 17 56 Да SOT-1121B
BLF6G13L-250P Силовой, двухтактный LDMOS-транзистор мощностью 250 Вт NXP LDMOS транзисторы
1300 1300 50 - 250 17 56 Да SOT-1121A
BLC8G24LS-240AV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2300 2400 28 - 240 15 44 Да SOT-1252-1
BLF8G22LS-240 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2110 2170 28 - 240 19 28.5 Да SOT-502B
BLC8G27LS-245AV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2500 2690 28 - 240 14.5 43 Да SOT-1251-2
BLC8G27LS-240AV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2500 2700 28 - 240 15.5 45 Да SOT-1252-1
BLF8G20LS-230V Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1800 2000 28 - 230 18 31.7 Да SOT-1135B
STAC9200 Радиочастотный силовой LDMOS транзистор STMicroelectronics LDMOS транзисторы
200 1300 32 - 230 18 68 Да STAC244B
BLF6G20-230PRN Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1800 2000 28 - 230 17.5 32 Да SOT-539A
BLF8G22LS-220 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2110 2170 28 - 220 17 33 Да SOT-502B
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019