Компоненты группы LDMOS транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
BLF7G22LS-250P | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | - | 250 | 18.5 | 31 | Да |
|
|
BLL6G1214LS-250 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1200 | 1400 | 36 | - | 250 | 15 | 45 | Да |
|
|
MRF6V13250H | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
960 | 1500 | 50 | 54 | 250 | 22.7 | 57 | Да |
|
|
AFIC10275N | Широкополосный интегральный усилитель на основе LDMOS-транзисторов | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
978 | 1090 | 50 | 54 | 250 | 32.6 | 61 | Да |
|
|
BLF7G22L-250P | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | - | 250 | 18.5 | 31 | Да |
|
|
BLL6G1214L-250 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1200 | 1400 | 36 | - | 250 | 15 | 45 | Да |
|
|
BLF2425M7LS250P | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | - | 250 | 15 | 51 | Да |
|
|
BLF2425M7L250P | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | - | 250 | 15 | 51 | Да |
|
|
BLF7G20LS-250P | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1805 | 1880 | 28 | - | 250 | 18 | 35 | Да |
|
|
BLF7G20L-250P | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1805 | 1880 | 28 | - | 250 | 18 | 35 | Да |
|
|
BLF6G13LS-250P | Силовой, двухтактный LDMOS-транзистор мощностью 250 Вт | NXP |
LDMOS транзисторы |
1300 | 1300 | 50 | - | 250 | 17 | 56 | Да |
|
|
BLF6G13L-250P | Силовой, двухтактный LDMOS-транзистор мощностью 250 Вт | NXP |
LDMOS транзисторы |
1300 | 1300 | 50 | - | 250 | 17 | 56 | Да |
|
|
BLC8G24LS-240AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | - | 240 | 15 | 44 | Да |
|
|
BLF8G22LS-240 | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | - | 240 | 19 | 28.5 | Да |
|
|
BLC8G27LS-245AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2690 | 28 | - | 240 | 14.5 | 43 | Да |
|
|
BLC8G27LS-240AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 240 | 15.5 | 45 | Да |
|
|
BLF8G20LS-230V | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2000 | 28 | - | 230 | 18 | 31.7 | Да |
|
|
STAC9200 | Радиочастотный силовой LDMOS транзистор | STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
200 | 1300 | 32 | - | 230 | 18 | 68 | Да |
|
|
BLF6G20-230PRN | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2000 | 28 | - | 230 | 17.5 | 32 | Да |
|
|
BLF8G22LS-220 | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | - | 220 | 17 | 33 | Да |
|