Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRFPE40PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 800 - - - - 2000 5.4 150 TO-247AC
Si7852ADP N-Channel 80-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 80 - - - - 14 30 62.5 PowerPAK_SO-8
STB4NK60Z N-channel 600 V - 1.76 ? - 4 A SuperMESH™ Power MOSFET D2PAK - I2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 1760 4 70 D2-PAK
I2PAK
FQB5N50C 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 1140 5 73 D2-PAK
IRFU3704Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 20 - - - 11.4 8.4 60 48 I-PAK
IXFB300N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 100 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 300 1500 PLUS264
IRFTS8342TRPBF Однокристальный n-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 29 19 8.2 2 TSOP-6
STP60NS04ZB N-channel clamped - 10m? - 60A - TO-220 Fully protected Mesh Overlay™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 0 - - - - 11 60 150 TO-220
IRFBC30LPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 2200 3.6 74 TO-262
STB20NM60 N-channel 600V - 0.25? - 20A - D2/I2PAK MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 250 20 192 D2-PAK
I2PAK
NTP30N06L Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level, N?Channel TO?220 ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - - 30 88.2 TO-220
2N7002VAC DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 13500 0.28 0.15 SOT-563
SiE810DF N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 - - 2.2 1.3 1.1 60 125 PolarPAK
IXFK33N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 160 160 160 160 160 33 416 TO-264AA
IXTB62N50L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 500 100 100 100 100 100 62 800 PLUS264
STP7NM50N N-channel 500V - 0.70? - 5A - TO-220 Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 700 5 45 TO-220
FDMS8680 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 8.5 5.5 35 50 I-PAK
IRFB23N20D HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 200 - - - - 100 24 170 TO-220AB
IXTP36N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 300 110 110 110 110 110 36 300 TO-220
IXFH320N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 320 1000 TO-247




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019