Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 414 415 416 417 418 419 420 421 422 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFX66N50Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 500 80 80 80 80 80 66 735 PLUS247
IXFX38N80Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 800 220 220 220 220 220 38 735 SOT-227 B
IXFK66N50Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 500 80 80 80 80 80 66 735 TO-264
IXFN38N80Q2 HiPerN-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 800 220 220 220 220 220 38 735 PLUS247
IXFK38N80Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 800 220 220 220 220 220 38 735 TO-264
IXTV102N20T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 23 23 23 23 23 102 750 PLUS220
IXTQ102N20T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 23 23 23 23 23 102 750 TO-3P
IXTH102N20T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 23 23 23 23 23 102 750 TO-247
IXTQ130N15T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 150 12 12 12 12 12 130 750 TO-3P
IXTH130N15T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 150 12 12 12 12 12 130 750 TO-247
FDH44N50 44A, 500V, 0.12 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 500 - - - - 110 44 750 TO-247
IXFN80N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 65 65 65 65 65 63 780 SOT-227 B
IXFN44N80Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 190 190 190 190 190 37 780 SOT-227 B
IXFX20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 780 PLUS247
IXFK20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 780 TO-264
IXFX26N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 390 390 390 390 390 26 780 PLUS247
IXFK26N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 390 390 390 390 390 26 780 TO-264
IXFN32N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 320 320 320 320 320 28 780 SOT-227 B
IXFN80N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 55 55 55 55 55 80 780 SOT-227 B
IXFK20N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 750 750 750 750 750 20 780 TO-264AA
Страницы: предыдущая 1 ... 414 415 416 417 418 419 420 421 422 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники