TK5P60W Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, технология DTMOS-IV

 

Блок-схема

TK5P60W, Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, технология DTMOS-IV
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 600
RDS(ON) 1.8 В,мОм 900
RDS(ON) 2,7 В,мОм 900
RDS(ON) 2,5 В,мОм 900
RDS(ON) 4.5 В,мОм 900
RDS(ON) 10 В,мОм 900
ID 5.4
PD,Вт 60
Корпус D-PAK
Datasheet
 
TK5P60W (235.3 Кб), 22.05.2013

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

TK5P60W Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, технология DTMOS-IV (235.3 Кб), 22.05.2013




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 907
Дата публикации: 22.05.2013 08:22
Дата редактирования: 22.05.2013 08:24


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019