TK5A60W Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, технология DTMOS-IV

 

Блок-схема

TK5A60W, Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, технология DTMOS-IV
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 600
RDS(ON) 1.8 В,мОм 900
RDS(ON) 2,7 В,мОм 900
RDS(ON) 2,5 В,мОм 900
RDS(ON) 4.5 В,мОм 900
RDS(ON) 10 В,мОм 900
ID 5.4
PD,Вт 30
Корпус TO-220SIS
Datasheet
 
TK5A60W (160.5 Кб), 22.05.2013

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

TK5A60W Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, технология DTMOS-IV (160.5 Кб), 22.05.2013




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1130
Дата публикации: 22.05.2013 08:19
Дата редактирования: 22.05.2013 08:21


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019