+ PSMN1R5-25YL, N-channel TrenchMOS logic level FET
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

PSMN1R5-25YL N-channel TrenchMOS logic level FET

 

Блок-схема

PSMN1R5-25YL, N-channel TrenchMOS logic level FET

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 25
RDS(ON) 10 В,мОм 1.13
ID,А 100
PD,Вт 109
Корпус SOT-669

Общее описание

Отличительные особенности

  • MOSFET-транзистор с самым низким в мире сопротивлением открытого канала
  • Повышает эффективность импульсных преобразователей мощности
  • Более высокая скорость коммутации за счет большей частоты и использования меньших индуктивностей и конденсаторов
  • Уникальный корпус Power-SO8 отличается минимальным рассеиванием мощности, снижая необходимость в радиаторе
  • Power-SO8 - единственный корпус, соответствующий автомобильному стандарту AEC-101
  • Максимальная рабочая температура: 175°C
Datasheet
 
PSMN1R5-25YL (199.7 Кб), 15.12.2009

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

PSMN1R5-25YL N-channel TrenchMOS logic level FET (199.7 Кб), 15.12.2009



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 641 		Дата публикации: 15.12.2009 09:34
Дата редактирования: 15.12.2009 09:36

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники