Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 412 413 414 415 416 417 418 419 420 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFN230N10 N-канальный силовой MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 6 6 6 6 6 230 700 SOT-227
IXTX8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 8 700 PLUS247
IXTK8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 8 700 TO-264
IXFN64N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 85 85 85 85 85 61 700 SOT-227 B
IXTN17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 SOT-227 B
IXTX17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 PLUS247
IXFN60N60 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 75 75 75 75 75 60 700 SOT-227 B
IXTK17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 TO-264
IXFL60N60 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 80 80 80 80 80 60 700 ISOPLUS264
IXFN64N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 96 96 96 96 96 50 700 SOT-227 B
IXFK170N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 9 9 9 9 9 170 714 TO-264
IXFH170N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 9 9 9 9 9 170 714 TO-247
IXTK120N20P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 22 22 22 22 22 120 714 TO-264
IXTQ120N20P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 22 22 22 22 22 120 714 TO-3P
IXTQ200N06P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 60 6 6 6 6 6 200 714 TO-3P
IXFK150N15P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 13 13 13 13 13 150 714 TO-264
IXFH150N15P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 13 13 13 13 13 150 714 TO-247
IXTK150N15P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 150 13 13 13 13 13 150 714 TO-264
IXTQ150N15P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 150 13 13 13 13 13 150 714 TO-3P
IXTK170N10P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 100 9 9 9 9 9 170 714 TO-264
Страницы: предыдущая 1 ... 412 413 414 415 416 417 418 419 420 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники