Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 408 409 410 411 412 413 414 415 416 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFL60N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 150 150 150 150 150 40 625 ISOPLUS264
IXFN22N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 550 550 550 550 550 25 625 SOT-227 B
IXTQ88N28T N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 280 44 44 44 44 44 88 625 TO-3P
FDH45N50F_F133 500V N-Channel MOSFET, FRFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 500 - - - - 105 45 625 TO-247
TO-3P
TO-3PF
IXFL82N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 80 80 80 80 80 82 625 ISOPLUS264
IXFK44N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 140 140 140 140 140 44 650 TO-264
IXFK24N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 400 400 400 400 400 24 650 TO-268
IXFH44N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 140 140 140 140 140 44 650 TO-247AD
IXFH24N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 400 400 400 400 400 24 650 TO-247
IXFH230N10T N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 4.7 4.7 4.7 4.7 4.7 230 650 TO-247
IXFT36N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 190 190 190 190 190 36 650 TO-268
IXFK36N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 190 190 190 190 190 36 650 TO-268
IXFH36N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 190 190 190 190 190 36 650 TO-247
IRFBA90N20D HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 200 - - - - 23 98 650 TO-273AA
IXTQ44N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 140 140 140 140 140 44 650 TO-3P
IXFT44N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 140 140 140 140 140 44 650 TO-268
IXFT24N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 400 400 400 400 400 24 650 TO-264AA
IXFH24N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 420 420 420 420 420 24 660 TO-247
IXFT24N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 420 420 420 420 420 24 660 TO-268
IXFT20N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 570 570 570 570 570 20 660 TO-268
Страницы: предыдущая 1 ... 408 409 410 411 412 413 414 415 416 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники