Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 408 409 410 411 412 413 414 415 416 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
BSH103 N-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
 N 1 30 600 - 500 400 - 0.85 0.75 SOT-23-3
IXFH16N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 600 600 600 600 600 16 460 TO-247
IXFH17N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 600 600 600 600 600 17 400 TO-247AD
IXFH15N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 600 600 600 600 600 15 300 TO-247AD
IXFT15N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 600 600 600 600 600 15 300 TO-268
NTJD4152P Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88 ON Semiconductor MOSFET
 P 2 -20 600 - - 215 - -0.88 0.272 SC-88
IXFR15N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 600 600 600 600 600 13 250 ISOPLUS247
IXFC14N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 630 630 630 630 630 8 100 ISOPLUS220
IXFR20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 630 630 630 630 630 13 290 ISOPLUS247
IXFR20N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 640 640 640 640 640 11 230 ISOPLUS247
IXFT18N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 600 600 600 600 18 540 TO-268
IXFV18N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 600 600 600 600 18 540 PLUS220
IXFV18N90PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 600 600 600 600 18 540 PLUS220SMD
IXFH18N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 600 600 600 600 18 540 TO-247
IXFT16N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 650 650 650 650 16 360 TO-268
IXFK16N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 650 650 650 650 16 360 TO-264AA
IXFH16N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 650 650 650 650 16 360 TO-247AD
IXFC16N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 650 650 650 650 650 9 150 ISOPLUS220
IXFC15N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 650 650 650 650 650 13 230 ISOPLUS220
Si1046R N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 20 660 - 501 420 - 0.6 0.25 SC75A
Страницы: предыдущая 1 ... 408 409 410 411 412 413 414 415 416 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники