Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 408 409 410 411 412 413 414 415 416 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFK32N80Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 270 270 270 270 270 32 1000 TO-264
IXFK64N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 96 96 96 96 96 64 1040 TO-264
IXFK102N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 33 33 33 33 33 102 700 TO-264
IXTK32P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -600 350 350 350 350 350 -32 890 TO-264
IXTK120P20T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -200 30 30 30 30 30 -120 1040 TO-264
IXTK550N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 550 1250 TO-264
IXTK600N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 40 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 600 1250 TO-264
IXFK180N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 70 6 6 6 6 6 180 560 TO-264
IXFK44N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 190 190 190 190 190 44 1200 TO-264
IXFK98N50P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 50 50 50 50 50 98 1300 TO-264
IXFK320N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 170 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 320 1670 TO-264
IXTK88N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 300 40 40 40 40 40 88 600 TO-264
IXFK20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 780 TO-264
IXFK120N25P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 250 24 24 24 24 24 120 700 TO-264
IXTK20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 TO-264
IXFK80N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 65 65 65 65 65 80 1250 TO-264
IXFK240N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 240 1250 TO-264
IXFK64N60Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 95 95 95 95 95 64 1250 TO-264
IXFK48N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 135 135 135 135 135 48 830 TO-264
IXTK5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 960 TO-264
Страницы: предыдущая 1 ... 408 409 410 411 412 413 414 415 416 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники