Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
DMP2004TK P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.15 SOT-523
NTHS4101P Power MOSFET ?20 V, 6.7 A, P?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 42 - - 21 - -4.8 1.3 ChipFET_1206-8
NTR0202PL Power MOSFET ?20 V, ?400 mA, P?Channel SOT?23 Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 800 550 -0.4 0.225 SOT-23-3
NTA4151P Small Signal MOSFET ?20 V, ?760 mA, Single P?Channel, Gate Zener, SC?75 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 490 - - 260 - -760 301 SC75
DMP2004K P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 1700 - - 700 - -6.6 0.55 SOT-23-3
NTMS5P02R2 Power MOSFET ?5.4 Amps, ?20 Volts P?Channel Enhancement?Mode Single SOIC?8 Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 26 - -7.05 2.5 SOIC-8
TSM2303CX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -3.2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 130 80 - 55 - -3.2 1.25 SOT-23-3
DMP2004DWK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.25 SOT-363
NTGS3441T1 Power MOSFET 1 Amp, 20 Volts P?Channel TSOP?6 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 69 - -1.65 0.5 TSOP-6
DMP2004DMK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -20 1700 - - 700 - -0.55 0.5 SOT-26
NTHD5903 Power MOSFET ?20 V, ?3.0 A, Dual P?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 - - - 130 - -3 2.1 ChipFET_1206-8
NTLTS3107P Power MOSFET -20 V, -8.3 A, Single P-Channel, Micro8 Leadless Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 26.2 - - 12.2 - -8.3 1.6 Micro 8
TSM2301CX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -2.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - 190 - 130 - -2.8 0.9 SOT-23-3
TSM2301BCX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -2.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 190 150 - 100 - -2.8 0.9 SOT-23-3
TSM2301ACX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -2.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - 190 - 130 - -2.8 0.7 SOT-23-3
NTHD4401P Power MOSFET ?20 V, ?3.0 A, Dual P?Channel, ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 340 - - 130 - -2.1 1.1 ChipFET_1206-8
NTMD6P02R2 Power MOSFET 6 Amps, 20 Volts P?Channel SOIC?8, Dual ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 - - - 27 - -7.8 2 SOIC-8
NTHD4102P Power MOSFET ?20 V, ?4.1 A, Dual P?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 120 - - 64 - -2.9 1.1 ChipFET_1206-8
DMP3030SN P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 - - - 350 200 -0.7 0.5 SC-59
NTLJS3113P Power MOSFET -20 V, -7.7 A, Cool Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 67 - - 32 - -5.8 1.9 WDFN6




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019