Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 404 405 406 407 408 409 410 411 412 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFE39N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 220 220 220 220 220 34 580 ISOPLUS-227
IXFE80N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 55 55 55 55 55 72 580 ISOPLUS247
FCH043N60 N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 600 В, 75 А Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 43 75 592 TO-247
FCH041N60E N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 600 В, 77 А Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 41 77 592 TO-247
FCH041N65F_F085 N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 650 В, 76 А Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 650 - - - - 41 76 595 TO-247
FCH041N65F N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 650 В, 76 А Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 650 - - - - 41 76 595 TO-247
FCH041N60F_F085 N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II FRFET®, 650 В, 76 А Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 650 - - - - 41 76 595 TO-247
IXFN20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 595 SOT-227 B
IXFN26N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 390 390 390 390 390 23 595 SOT-227 B
IXTR120P20T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -200 32 32 32 32 32 -90 595 ISOPLUS247
FCH041N60F N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 600 В, 76 А Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 41 76 595 TO-247
IXFT96N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 24 24 24 24 24 96 600 TO-268
STE45NK80ZD N-channel 800V - 0.11? - 45A ISOTOP Super FREDmesh™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 800 - - - - 110 45 600 ISOTOP
IXFN48N55 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 550 110 110 110 110 110 48 600 SOT-227 B
IXTX22N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1000 600 600 600 600 600 22 600 PLUS247
IXFH96N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 24 24 24 24 24 96 600 TO-247
STE40NK90ZD N-channel 900V - 0.14? - 40A ISOTOP Super FREDmesh™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 900 - - - - 140 40 600 ISOTOP
IXFT140N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 11 11 11 11 11 140 600 TO-268
IXTK22N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1000 600 600 600 600 600 22 600 TO-264
IXFH140N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 11 11 11 11 11 140 600 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 404 405 406 407 408 409 410 411 412 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники