Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 408 409 410 411 412 413 414 415 416 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFH20N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 520 520 520 520 520 20 500 TO-247
PMZ350XN N-channel TrenchMOS standard level FET NXP MOSFET
Транзисторы
 N 1 30 - - 520 350 - 1.87 2.5 SOT-883
IXFP14N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-220
IXFH14N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-247
IXFA14N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-263
IXTQ14N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-3P
IXTP14N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-220
IXTA14N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-263
IXTP14N60PM Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 7 75 TO-220-3 ISO
IXFN22N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 550 550 550 550 550 25 625 SOT-227 B
Si1902DL Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 2 20 - - 560 320 - 0.6 0.27 SC70-6
Si1303EDL P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 1 20 - - 560 360 - 0.67 0.29 SC70-3
Si1303DL P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 1 20 - - 560 360 - 0.67 0.29 SC70-3
IXFN20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 595 SOT-227 B
IXFX20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 780 PLUS247
IXFK20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 780 TO-264
IXFT20N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 570 570 570 570 570 20 660 TO-268
IXFH20N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 570 570 570 570 570 20 660 TO-247
IXTN22N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1000 600 600 600 600 600 22 700 SOT-227 B
IXTX22N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1000 600 600 600 600 600 22 600 PLUS247
Страницы: предыдущая 1 ... 408 409 410 411 412 413 414 415 416 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники