Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXFH42N50P2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 145 | 145 | 145 | 145 | 145 | 42 | 830 |
|
| IXTA220N04T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 40 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 220 | 360 |
|
| IRFP4321PBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 15.5 | 78 | 310 |
TO-247AC |
| STW43NM50N | N-channel 500 V, 0.070 ?, 37 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-247 |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 70 | 37 | 255 |
|
| FDPF5N50 | N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 1150 | 5 | 28 |
TO-220F |
| Si4401BDY | P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 40 | - | - | - | 16.5 | 11 | 8.7 | 1.5 |
SOIC-8 |
| PSMN025-100D | N-канальный TrenchMOS™ транзистор |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 22 | 47 | 150 |
D-PAK |
| IXTT50N30 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 65 | 65 | 65 | 65 | 65 | 50 | 400 |
|
| IXFA12N50P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 12 | 200 |
|
| IRF3709ZCS | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 7.8 | 6.3 | 87 | 79 |
D2-PAK |
| STF21NM60ND | N-channel 600 V, 0.17 ?, 17 A FDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 170 | 17 | 30 |
|
| FDB16AN08A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 70 | - | - | - | - | 13 | 58 | 135 |
|
| FCMT199N60 | N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 600 В, 20.2 А |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 199 | 20.2 | 208 |
|
| Si7464DP | N-Channel 200-V (D-S) Fast Switching MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 195 | 1.8 | 1.8 |
PowerPAK_SO-8 |
| STD6N52K3 | N-channel 525 V, 1 ?, 5 A, DPAK SuperMESH3™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 525 | - | - | - | - | 100 | 5 | 70 |
D-PAK |
| BSC016N06NS | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.6 | 100 | 139 |
|
| FQPF11N40C | 400V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 430 | 10.5 | 44 |
TO-220F |
| IXTR200N10P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 120 | 300 |
|
| IPD90N06S4L-05 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 5.3 | 3.7 | 90 | 107 |
TO-252 |
| IRLI620GPBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 800 | 4 | 30 |
TO-220F |
