Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 405 406 407 408 409 410 411 412 413 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTH96N20P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 24 24 24 24 24 96 600 TO-247
IXTT96N20P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 24 24 24 24 24 96 600 TO-268
IXFN34N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 240 240 240 240 240 34 600 SOT-227 B
IXFN44N60 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 130 130 130 130 130 44 600 SOT-227 B
IXTQ96N20P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 24 24 24 24 24 96 600 TO-3P
IXFN24N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 390 390 390 390 390 24 600 SOT-227 B
IXFK88N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 40 40 40 40 40 88 600 TO-264
STE70NM60 N-CHANNEL 600V - 0.050W - 70A ISOTOP Zener-Protected MDmesh™Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 600 - - - - 50 70 600 ISOTOP
IXFN23N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 430 430 430 430 430 23 600 SOT-227 B
IXFH88N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 40 40 40 40 40 88 600 TO-247
STE70NM50 N-CHANNEL 500V - 0.045W - 70A ISOTOP Zener-Protected MDmesh™Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 500 - - - - 45 70 600 ISOTOP
IXFN170N10 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 10 10 10 10 10 170 600 SOT-227 B
IXTT88N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 300 40 40 40 40 40 88 600 TO-268
IXFN280N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 70 5 5 5 5 5 280 600 SOT-227 B
IXTK88N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 300 40 40 40 40 40 88 600 TO-264
IXTH88N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 300 40 40 40 40 40 88 600 TO-247
IXFN100N25 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 250 27 27 27 27 27 100 600 SOT-227 B
IXTQ88N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 300 40 40 40 40 40 88 600 TO-3P
IXFT120N15P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 16 16 16 16 16 120 600 TO-268
IXFH120N15P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 16 16 16 16 16 120 600 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 405 406 407 408 409 410 411 412 413 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники