Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| STD60NF55LA | N-channel 55V - 0.012? - 60A - DPAK STripFET™ II Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 12 | 60 | 110 |
D-PAK |
| STF25NM60N | N-channel 600 V, 0.130 ? , 21 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 130 | 21 | 40 |
|
| BSC016N04LS | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 40 В, 100 А, 1.6 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 2.3 | 1.6 | 100 | 139 |
|
| FDMS2572 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 36 | 27 | 78 |
Power 56 |
| TSM6NB60CZ | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 6 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 1600 | 6 | 125 |
TO-220 |
| IRLR024N | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | 110 | 65 | 17 | 38 |
D-PAK |
| IRFP264NPBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 60 | 44 | 380 |
TO-247AC |
| Si7120DN | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 23 | 15 | 6.3 | 1.5 |
PowerPAK_1212-8 |
| STL150N3LLH5 | N-channel 30 V, 0.0014 ?, 35 A - PowerFLAT™ (6x5)STripFET™ V Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 1.9 | 1.4 | 150 | 80 |
|
| STP23NM60N | N-channel 600 V - 0.150 ? - 19 A - TO-220, second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 150 | 19 | 150 |
TO-220 |
| IPB180N03S4L-01 | N-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 1.2 | 0.9 | 180 | 188 |
TO-263-7 |
| FQA11N90 | 900V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 750 | 11.4 | 300 |
TO-3PN |
| IRFS52N15D | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 32 | 51 | 320 |
D2-PAK |
| IRF820AL | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 3000 | 2.5 | 50 |
TO-262 |
| IXTQ90N15T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 90 | 455 |
|
| STW13NK60Z | N-CHANNEL 600V - 0.48? - 13A - TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 350 | 13 | 150 |
|
| 2N7002K | Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N?Channel, SOT?23 |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1330 | 1190 | 0.32 | 0.3 |
SOT-23-3 |
| IXFN73N30 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 45 | 45 | 45 | 45 | 45 | 73 | 520 |
|
| DMN2104L | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | 42 | - | 4.3 | 1.4 |
SOT-23-3 |
| IPW60R099C7 | N-канальный MOSFET-транзистор серии CoolMOS™ C7 с напряжением сток-исток 600 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 99 | 22 | 110 |
|
