Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
Si6433BDQ P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 12 - - 53 32 - 4 1.05 TSSOP-8
EFC6602R Сдвоенный N-канальный силовой MOSFET-транзистор на 12 В / 18 А / 5.9 мОм, для схем коммутации нагрузки в устройствах заряда/разряда Li-ion аккумуляторных батарей ON Semiconductor MOSFET
N 2 12 - 11 - 5.9 - 18 2 WLCSP-6
FDS6890A Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 20 - - - 13 - 7.5 1.6 SOIC-8
FDMA1024NZ Dual N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 20 - - 52 37 - 5 1.4 MicroFET
Si5404BDC N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 - - 3.1 2.2 - 5.4 1.3 ChipFET_1206-8
NTD3055L170 Power MOSFET 9.0 Amps, 60 Volts, Logic Level, N?Channel DPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - - 9 28.5 D-PAK
DPAK-3
DMN5L06WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 3000 - - - - 0.3 0.25 SOT-323
Si1033X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 15000 - 12000 8000 - 0.15 0.25 SC89-6
NTLJS4114N Power MOSFET 30 V, 7.8 A, Cool Single N?Channel, 2x2 mm WDFN Package ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 35.2 - - 20.3 - 6 1.92 WDFN6
IRLMS6702 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 20 - - 375 200 - 2.4 1.7 TSOP-6
RFD16N06LESM Logic Level, N-Channel Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 47 - 16 90 TO-252 AA
DMN2230U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 170 - - 81 - 2 0.6 SOT-23-3
Si8445DB P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 97 - 82 70 - 9.8 11.4 Micro Foot
NTMD6P02R2 Power MOSFET 6 Amps, 20 Volts P?Channel SOIC?8, Dual ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 - - - 27 - -7.8 2 SOIC-8
IRF7433 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 12 - - - 24 - 8.9 2.5 SOIC-8
Si1050X N-Channel 8-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 8 85 - 78 71 - 1.34 0.236 SC89-6
DMP57D5UV DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -50 - - - - - -0.16 0.4 SOT-563
SiA415DJ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 - - 42 29 - 12 19 PowerPAK SC70-6
Si1470DH N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 30 - - 79 55 - 5.1 2.8 SC70-6
NTHD4102P Power MOSFET ?20 V, ?4.1 A, Dual P?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 120 - - 64 - -2.9 1.1 ChipFET_1206-8
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019