Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTH12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-247
IXFP7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-220
IXFA7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-263
IXFH7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-247
IXFT6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-268
IXFH6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-247AD
IXTM6N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-204AA
IXTH6N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-247
DMN5L06TK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 1800 - - - - 0.28 0.15 SOT-523
Si1023X Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 1800 - 1200 800 - 0.37 0.25 SC89-6
Si1013X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 1800 - 1200 800 - 0.35 0.25 SC89-3
Si1013R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 1800 - 1200 800 - 0.35 0.15 SC75A
IXFM6N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-204AA
IXFH6N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-247AD
DMP2004WK P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 1700 - - 700 - -0.4 0.25 SOT-323
DMP2004VK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -20 1700 - - 700 - -0.53 0.4 SOT-563
DMP2004TK P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.15 SOT-523
DMP2004K P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 1700 - - 700 - -6.6 0.55 SOT-23-3
DMP2004DWK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.25 SOT-363
DMP2004DMK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -20 1700 - - 700 - -0.55 0.5 SOT-26
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019