Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTH12N140 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1400 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 12 | 890 |
|
|
IXFP7N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 7 | 300 |
TO-220 |
|
IXFA7N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 7 | 300 |
|
|
IXFH7N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 7 | 300 |
|
|
IXFT6N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 6 | 180 |
|
|
IXFH6N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 6 | 180 |
|
|
IXTM6N90 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 6 | 180 |
|
|
IXTH6N90 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 6 | 180 |
|
|
DMN5L06TK | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 50 | 1800 | - | - | - | - | 0.28 | 0.15 |
|
|
Si1023X | Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 2 | 20 | 1800 | - | 1200 | 800 | - | 0.37 | 0.25 |
SC89-6 |
|
Si1013X | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | 1800 | - | 1200 | 800 | - | 0.35 | 0.25 |
SC89-3 |
|
Si1013R | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | 1800 | - | 1200 | 800 | - | 0.35 | 0.15 |
SC75A |
|
IXFM6N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 6 | 180 |
|
|
IXFH6N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 6 | 180 |
|
|
DMP2004WK | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 1700 | - | - | 700 | - | -0.4 | 0.25 |
SOT-323 |
|
DMP2004VK | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 2 | -20 | 1700 | - | - | 700 | - | -0.53 | 0.4 |
|
|
DMP2004TK | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 1700 | - | - | 700 | - | -0.43 | 0.15 |
|
|
DMP2004K | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 1700 | - | - | 700 | - | -6.6 | 0.55 |
SOT-23-3 |
|
DMP2004DWK | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 2 | -20 | 1700 | - | - | 700 | - | -0.43 | 0.25 |
|
|
DMP2004DMK | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 2 | -20 | 1700 | - | - | 700 | - | -0.55 | 0.5 |
|