Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STP200N4F3 N-channel 40V - 0.0035? - 120A - TO220 planar STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 4 120 300 TO-220
IRF530NL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - - 90 17 79 TO-262
FDA50N50 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 89 48 625 TO-3PN
STP30NM60N N-channel 600 V, 0.1 ?, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 100 25 190 TO-220
FDMS86255ET150 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 150 В, 63 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 150 - - - - 12.4 63 136 Power 56
SUP90N15-18P N-Channel 150-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 150 - - - - 14.5 90 375 TO-220
STD11NM60N N-channel 600 V - 0.37 ? - 10 A - IPAK DPAK second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 370 10 90 D-PAK
I-PAK
FQU18N20V2 200V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 120 15 2.5 I-PAK
TSM1NB60CP Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 10000 0.5 39 TO-252
IPP45N06S4-09 N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 7.9 45 71 TO-220
IRLZ44SPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 60 - - - - 28 50 150 D2-PAK
STB12NM60N N-channel 600V - 0.35? - 10A - D2/I2PAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 350 10 90 D2-PAK
I2PAK
FDMS9620S Dual N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 30 - - - 23 18 16 2.5 Power 56
IRLU4343 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - 65 50 26 79 I-PAK
IRLS4030-7PPbF 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - 3.3 3.2 190 370 D2-PAK-7
NTD4804N Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 4.7 3.4 19 2.5 D-PAK
3 IPAK
I-PAK
IRFIBE30GPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 800 - - - - 3000 2.1 35 TO-220F
STB150NF55 N-channel 55V - 0.005? - 120A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 5 120 300 D2-PAK
IRFU2405 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 16 56 110 I-PAK
DMN66D0LT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 3000 0.115 0.2 SOT-523
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019