Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFP7N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1440 | 1440 | 1440 | 1440 | 1440 | 7 | 200 |
TO-220 |
|
IXFA7N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1440 | 1440 | 1440 | 1440 | 1440 | 7 | 200 |
|
|
IXFV10N100PS | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 10 | 380 |
|
|
IXTM6N90A | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 6 | 180 |
|
|
IXFV10N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 10 | 380 |
|
|
IXFH10N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 10 | 380 |
|
|
IXTH6N90A | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 6 | 180 |
|
|
IXTT10N100D | Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 10 | 400 |
|
|
IXTH10N100D | Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 10 | 400 |
|
|
IXTH6N80A | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 6 | 180 |
|
|
IXFH12N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 12 | 543 |
|
|
IXTH12N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 12 | 500 |
|
|
IXTU5N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 5 | 89 |
|
|
IXTY5N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 5 | 89 |
TO-252 |
|
IXTP5N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 5 | 89 |
TO-220 |
|
IXTA5N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 5 | 89 |
|
|
IXFV12N120PS | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 1350 | 1350 | 1350 | 1350 | 1350 | 12 | 543 |
|
|
IXFV12N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 1350 | 1350 | 1350 | 1350 | 1350 | 12 | 543 |
|
|
IXTH12N100L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1300 | 1300 | 1300 | 1300 | 1300 | 12 | 400 |
|
|
IXFT10N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 10 | 300 |
|