Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| DMP57D5UFB | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -50 | - | - | - | - | - | -0.2 | 0.425 |
|
| BSS84W | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -50 | - | - | - | - | - | -0.13 | 0.2 |
SOT-323 |
| BSS84V | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 2 | -50 | - | - | - | - | - | -0.13 | 0.15 |
|
| BSS84DW | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 2 | -50 | - | - | - | - | - | -0.13 | 0.3 |
|
| BSS84 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -50 | - | - | - | - | 10000 | -0.13 | 0.3 |
SOT-23-3 |
| IXTP32P05T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -50 | 39 | 39 | 39 | 39 | 39 | -32 | 83 |
TO-220 |
| IXTA32P05T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -50 | 39 | 39 | 39 | 39 | 39 | -32 | 83 |
|
| IXTH140P05T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -50 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 | -140 | 83 |
|
| IXTP140P05T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -50 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 | -140 | 83 |
TO-220 |
| IXTA140P05T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -50 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 | -140 | 83 |
|
| IXTY32P05T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -50 | 39 | 39 | 39 | 39 | 39 | -32 | 83 |
TO-252 |
| IXTY48P05T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -50 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | -48 | 150 |
TO-252 |
| IXTP48P05T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -50 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | -48 | 150 |
TO-220AB |
| IXTA48P05T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -50 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | -48 | 150 |
|
| BS250P | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -45 | - | - | - | - | 14000 | -0.23 | 0.7 |
TO-92 |
| BS250F | SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -45 | - | - | - | - | 9000 | -0.09 | 0.33 |
SOT-23-3 |
| ZXMP4A16G | 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -40 | - | - | - | 100 | 60 | -6.4 | 2 |
SOT-223-4 |
| SQJ463EP | Automotive 40 V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | -40 | - | - | - | 15 | 10 | -30 | 83 |
PowerPAK_SO-8 |
| TJ20S04M3L | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
Toshiba |
MOSFET |
P | 1 | -40 | - | - | - | - | 22.2 | -20 | 41 |
|
| TJ40S04M3L | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
Toshiba |
MOSFET |
P | 1 | -40 | - | - | - | - | 9.1 | -40 | 68 |
|
