Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IRL3716L | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | 4.8 | 4 | 180 | 210 |
TO-262 |
| IRL3716 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | 4.8 | 4 | 180 | 210 |
TO-220AB |
| BSB014N04LX3 | Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 2 | 1.4 | 180 | 89 |
|
| BSB012N03LX3 | Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 1.8 | 1.2 | 180 | 89 |
|
| IXFR180N085 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 85 | 7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 180 | 400 |
|
| IPB025N10N3 | Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 100 В, 180 А, 2.5 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 2.5 | 180 | 300 |
D2-PAK-7 |
| IPB180N06S4-H1 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.3 | 180 | 250 |
TO-263-7 |
| IXFK180N085 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 85 | 7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 180 | 560 |
|
| IXFX180N085 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 85 | 7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 180 | 560 |
|
| STP270N8F7 | N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 2.5 | 180 | 315 |
TO-220 |
| STH270N8F7-6 | N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 2.1 | 180 | 315 |
|
| STH315N10F7-2 | N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон температур |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 2.3 | 180 | 315 |
|
| STH270N8F7-2 | N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 2.1 | 180 | 315 |
|
| IRLSL4030PbF | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 3.4 | 3.6 | 180 | 370 |
TO-262 |
| STH315N10F7-6 | N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон температур |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 2.3 | 180 | 315 |
|
| IXFN180N10 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 180 | 600 |
SOT-227 |
| STE180NE10 | N-channel 100V - 4.5m? - 180A - ISOTOP STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 4500 | 180 | 360 |
|
| STH310N10F7-6 | N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 2.3 | 180 | 315 |
|
| IXFX180N10 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 180 | 560 |
|
| IRLS4030PbF | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 3.4 | 3.6 | 180 | 370 |
D2-PAK |
