Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTH200N075T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 5 5 5 5 5 200 430 TO-247
IXTQ200N075T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 5 5 5 5 5 200 430 TO-3P
IXTA200N075T7 N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 5 5 5 5 5 200 430 TO-263-7
IXTP200N075T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 5 5 5 5 5 200 430 TO-220
IXTA200N075T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 5 5 5 5 5 200 430 TO-263
SQJQ402E MOSFET-транзистор семейства TrenchFET® с максимальным током стока до 200 А и напряжением сток-исток до 40 В Vishay MOSFET
N 1 40 - - - 2 1.7 200 150 PowerPAK 8x8
IXTK200N10L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 100 11 11 11 11 11 200 1040 TO-264
IXTX200N10L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 100 11 11 11 11 11 200 1040 PLUS247
IXTK200N10P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 200 800 TO-264
IXFN200N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 200 680 SOT-227
IXFX200N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 200 830 PLUS247
IXFK200N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 200 830 TO-264
IXFN200N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 70 6 6 6 6 6 200 520 SOT-227 B
FDMS86350ET80 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 80 В, 190 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 80 - - - - 2.4 198 187 Power 56
IRFSL4115PbF 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 150 - - - - 10.3 195 375 TO-262
IRFS4115PbF 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 150 - - - - 10.3 195 375 D2-PAK
IRFSL3107PbF 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 75 - - - - 2.5 195 370 TO-262
IRFS3107PbF 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 75 - - - - 2.5 195 370 D2-PAK
IRFSL3006PbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 2 195 375 TO-262
IRFS3006PbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 2 195 375 D2-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019