Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
PMZ760SN | N-channel TrenchMOS standard level FET | NXP |
MOSFET Транзисторы |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1100 | 760 | 1.22 | 2.5 |
SOT-883 |
|
IXFQ10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXTP7N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 7 | 150 |
TO-220 |
|
IXFP10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
TO-220 |
|
IXTA7N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 7 | 150 |
|
|
IXFH10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXFA10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXTP7N60PM | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 4 | 41 |
|
|
IXFH10N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXFM10N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXTP6N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 6 | 100 |
TO-220 |
|
IXTA6N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 6 | 100 |
|
|
SiA456DJ | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 1200 | - | 1120 | 1080 | - | 2.6 | 19 |
PowerPAK SC70-6 |
|
IXFT12N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 300 |
|
|
IXFH12N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 463 |
|
|
IXFH12N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 300 |
|
|
IXFT12N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 300 |
|
|
IXFT15N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 15 | 690 |
|
|
IXFH15N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 15 | 690 |
|
|
IXTM12N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 300 |
|