Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTH3N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 3 | 125 |
|
|
IXTA3N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 3 | 125 |
|
|
FQS4903 | 500V Dual N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 4700 | 0.37 | 2 |
SOIC-8 |
|
FQN1N50C | 500V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 4600 | 0.38 | 0.89 |
TO-92 |
|
IXTY08N50D2 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 0.8 | 60 |
TO-252 |
|
IXTP08N50D2 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 0.8 | 60 |
TO-220AB |
|
IXTA08N50D2 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 0.8 | 60 |
|
|
MTP2P50E | Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts P?Channel TO?220 | ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | 500 | - | - | - | - | 4500 | 2 | 75 |
TO-220AB |
|
BS107A | Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 4500 | 0.25 | 0.35 |
TO-92 |
|
MTB2P50E | Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts P?Channel D2PAK | ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | 500 | - | - | - | - | 4500 | 2 | 75 |
D2-PAK |
|
IPU80R4K5P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 4500 | 1.5 | 13 |
|
|
IXFP3N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
TO-220 |
|
IPD80R4K5P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 4500 | 1.5 | 13 |
|
|
IXFA3N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
|
|
IXTH3N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 150 |
|
|
IXTP3N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
TO-220 |
|
IXTA3N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
|
|
STE180NE10 | N-channel 100V - 4.5m? - 180A - ISOTOP STripFET™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 4500 | 180 | 360 |
|
|
TSM2NB60CI | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 2 А | Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 4400 | 2 | 25 |
|
|
IRFBC20PBF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 4400 | 2.2 | 50 |
TO-220AB |