Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTH3N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 4800 4800 4800 4800 4800 3 125 TO-247
IXTA3N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 4800 4800 4800 4800 4800 3 125 TO-263
FQS4903 500V Dual N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 4700 0.37 2 SOIC-8
FQN1N50C 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 4600 0.38 0.89 TO-92
IXTY08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-252
IXTP08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-220AB
IXTA08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-263
MTP2P50E Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts P?Channel TO?220 ON Semiconductor MOSFET
P 1 500 - - - - 4500 2 75 TO-220AB
BS107A Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 ON Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 4500 0.25 0.35 TO-92
MTB2P50E Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts P?Channel D2PAK ON Semiconductor MOSFET
P 1 500 - - - - 4500 2 75 D2-PAK
IPU80R4K5P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
N 1 800 - - - - 4500 1.5 13 I-PAK
IXFP3N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-220
IPD80R4K5P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
N 1 800 - - - - 4500 1.5 13 DPAK-4
IXFA3N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-263
IXTH3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 150 TO-247
IXTP3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-220
IXTA3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-263
STE180NE10 N-channel 100V - 4.5m? - 180A - ISOTOP STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 4500 180 360 ISOTOP
TSM2NB60CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 4400 2 25 ITO-220AB
IRFBC20PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 4400 2.2 50 TO-220AB
Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019