STH270N8F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А
|
Блок-схема  Группа компонентов MOSFETОсновные параметры
Общее описаниеТехнология STripFET™ VII DeepGATE™, дополнившая собой обширный ряд компетенций компании STMicroelectronics в области проектирования полевых транзисторов, обеспечивает лучшие в отрасли характеристики эффективности, плотности мощности и надежности исполнения устройств на классы напряжений, требуемых в широком спектре промышленных приложений. Транзисторы STripFET™ VII DeepGATE™ идеально подходят для применения в системах с рабочим напряжением 48 В постоянного тока, широко применяемых в телекоммуникационном оборудовании. Устройства с рабочим напряжением 80 В или 100 В имеют достаточный запас надежности в условиях типовых скачков напряжения в 48-вольтовых цепях. Также, транзисторы STripFET VII DeepGATE с успехом могут применять в критически важных с точки зрения безопасности 12- и 24-вольтовых автомобильных приложениях. Основным преимуществом технологии STripFET VII DeepGATE компании STMicro является усовершенствованная структура затвора полевого транзистора, благодаря которой достигается более низкое сопротивление открытого канала, снижается внутренняя емкость и заряд затвора, что приводит к увеличению скорости и эффективности переключения. Транзисторы STripFET VII отличает высокая стойкость к лавинному пробою, что позволяет избежать потенциально разрушительных воздействий неблагоприятных режимов и обеспечить необходимый уровень защиты критически важных узлов системы. |
 STH270N8F7-2, STH270N8F7-6, STP270N8F7 (1.6 Мб), 26.09.2013
|
Datasheet
STH270N8F7-2, STH270N8F7-6, STP270N8F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А (1.6 Мб), 26.09.2013
| Автор документа: Жанна Свирина, Кол-во просмотров: 551 |
Дата публикации: 26.09.2013 13:14 Дата редактирования: 26.09.2013 13:14 |
