Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFR180N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 70 6 6 6 6 6 180 400 ISOPLUS247
IPB180N03S4L-01 N-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
 N 1 30 - - - 1.2 0.9 180 188 TO-263-7
IRF1302 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 20 - - - - 4 180 230 TO-220AB
IPB180N03S4L-H0 N-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
 N 1 30 - - - 0.95 0.73 180 250 TO-263-7
IXFR180N06 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 60 5 5 5 5 5 180 560 ISOPLUS247
IRFB4110PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 100 - - - - 4.5 180 370 TO-220AB
IXTQ180N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 6.4 6.4 6.4 6.4 6.4 180 480 TO-3P
NDPL180N10B N-канальный MOSFET-транзистор, 100В/ 180А ON Semiconductor MOSFET
 N 1 100 - - - - 3.5 180 200 TO-220
IRFB4110QPBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 100 - - - - 4.5 180 370 TO-220AB
IXFK180N25T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 12.9 12.9 12.9 12.9 12.9 180 1390 TO-264
IXFK180N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) ISSI MOSFET
 N 1 70 - - - - 6 180 560 PLUS247
TO-264AA
IPB014N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 180 А Infineon Technologies MOSFET
 N 1 60 - - - - 1.2 180 214 TO-263-7
IXFX180N25T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 12.9 12.9 12.9 12.9 12.9 180 1390 PLUS247
IXTH180N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 6.4 6.4 6.4 6.4 6.4 180 480 TO-247
IPB010N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 180 А Infineon Technologies MOSFET
 N 1 60 - - - - 0.8 180 300 TO-263-7
NDBA180N10B N-канальный MOSFET-транзистор, 100В/ 180А ON Semiconductor MOSFET
 N 1 100 - - - - 3.3 180 200 TO-263
IXFX180N15P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 11 11 11 11 11 180 830 PLUS247
IXFA180N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 6 6 6 6 6 180 480 TO-263
IXTA180N10T7 N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 6.4 6.4 6.4 6.4 6.4 180 480 TO-263-7
IXFK180N15P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 11 11 11 11 11 180 830 TO-264
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники