IPB180N06S4-H1 N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor

 

Блок-схема

IPB180N06S4-H1, N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 60
RDS(ON) 10 В,мОм 1.3
ID 180
PD,Вт 250
Корпус TO-263-7

Общее описание

Datasheet
 
IPB180N06S4-H1 (176.2 Кб), 14.12.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IPB180N06S4-H1 N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor (176.2 Кб), 14.12.2009




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 606
Дата публикации: 14.12.2009 10:37
Дата редактирования: 14.12.2009 10:39


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019