Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFN280N085 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET ISSI MOSFET
 N 1 85 - - - - 4.4 280 700 SOT-227
IXFN340N06 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 60 3 3 3 3 3 340 700 SOT-227 B
IXFN36N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 240 240 240 240 240 36 700 SOT-227 B
IXFN340N07 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET ISSI MOSFET
 N 1 70 - - - - 4 340 700 SOT-227
IXFN140N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 24 24 24 24 24 110 700 SOT-227 B
IXFN34N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 280 280 280 280 280 34 700 SOT-227 B
IXFK102N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 33 33 33 33 33 102 700 TO-264
IXTN5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 700 miniBLOC
IXTN46N50L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 160 160 160 160 160 46 700 SOT-227 B
IXTX46N50L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 160 160 160 160 160 46 700 PLUS247
IXTK46N50L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 160 160 160 160 160 46 700 TO-264
IXKK85N60C Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора IXYS MOSFET
 N 1 600 36 36 36 36 36 85 700 TO-264
IXFN280N085 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 85 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4 280 700 SOT-227
IXTK102N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 300 33 33 33 33 33 102 700 TO-264
IXFN340N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 70 4 4 4 4 4 340 700 SOT-227
IXFN80N48 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 480 45 45 45 45 45 80 700 SOT-227 B
IXFN130N30 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 22 22 22 22 22 130 700 SOT-227 B
IXFN80N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 65 65 65 65 65 66 700 SOT-227 B
IXFX120N25P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 250 24 24 24 24 24 120 700 PLUS247
IXTK120N25P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 250 20 20 20 20 20 120 700 TO-264
Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники