Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STP5NB100 N-CHANNEL 1000V - 2.4W - 5A TO-220 PowerMesh™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 2400 5 135 TO-220
STF17NF25 N-channel 250V - 0.14? - 17A - TO-220FP low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 250 - - - - 140 17 25 TO-220FP
IXTA240N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 240 480 TO-263
IXTU05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-251
FQPF13N50C 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 390 13 48 TO-220F
IXFT14N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 720 720 720 720 720 14 400 TO-268
STP4NM60 N-CHANNEL 600V - 1.3W - 3A TO-220 Zener-Protected MDmesh™Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 1300 4 69 TO-220
ZXMN10A08G 100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET Zetex MOSFET
N 1 100 - - - - 250 2.9 3.9 SOT-223-4
IRF3707L HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 17 12.5 62 87 TO-262
FDS8670 30V N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 4.2 3.3 21 2.5 SOIC-8
TSM2N60CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 1 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 5000 1 70 TO-220
STB14NK60Z-1 N-channel 600V - 0.45Ом - 13.5A Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 450 13.5 160 I2PAK
STP45NF06 N-channel 60V - 0.022? - 38A TO-220 STripFETTM II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 60 - - - - 235 38 80 TO-220
IXFC22N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 360 360 360 360 360 12 130 ISOPLUS220
SQJ962EP Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET Vishay MOSFET
N 2 60 - - - 80 60 8 25 PowerPAK_SO-8
IRL3714 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 20 - - - 28 20 36 43 TO-220AB
IRFIBC30G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 2200 2.5 35 TO-220F
SUD50N04-16P N-Channel 40-V (D-S), 175°C MOSFET Vishay MOSFET
N 1 40 - - - 14 12.5 20 35.7 D-PAK
HUF75332S3S N-Channel UltraFET Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 55 - - - - 16 60 145 TO-263AB
IXTQ60N20L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 200 45 45 45 45 45 60 540 TO-3P
Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019