Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| NGTB75N65FL2WG | IGBT-транзистор серии LF2, 650 В, 75 А |
|
ON Semiconductor |
IGBT |
650 | 75 | 100 | 2 | 110 | 48 | 270 | 70 | 2.2 | 1.1 | 265 | Да | -55 ... 175 |
|
| STGP10HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | - | 1.6 | - | - | - | - | - | - | 80 | Да | -40 ... 175 |
TO-220 |
| IXXH80N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 80 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 80 | 110 | 2 | 38 | 90 | 120 | 63 | 3.77 | 1.2 | 625 | Да | -55 ... 175 |
|
| FGH75T65SQD | IGBT-транзистор на основе технологии Fieldstop четвёртого поколения, 650 В, 75 А |
|
Fairchild Semiconductor |
IGBT |
650 | 75 | 100 | 2.1 | 23 | 10 | 120 | 7 | 300 | 70 | 375 | Да | -55 ... 175 |
|
| IKP40N65F5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 74 | 25 | 1.6 | 19 | 13 | 160 | 16 | 0.36 | 0.1 | 255 | Да | -40 ... 175 |
TO-220 |
| IXXH75N60B3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 75 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 5...30 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 75 | 110 | 1.6 | 36 | 72 | 145 | 170 | 2.6 | 2.2 | 750 | Да | -55 ... 175 |
|
| NGTB35N60FL2WG | IGBT-транзистор серии LF2, 600 В, 35 А |
|
ON Semiconductor |
IGBT |
600 | 35 | 100 | 2 | 72 | 40 | 132 | 75 | 0.84 | 0.28 | 150 | Да | -55 ... 175 |
|
| STGF10HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 6 А, с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 6 | - | 1.6 | - | - | - | - | - | - | 30 | Да | -40 ... 175 |
|
| IXXH40N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 40 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 40 | 110 | 1.8 | 28 | 53 | 144 | 54 | 1.4 | 0.56 | 455 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IKA15N65H5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 14 | 25 | 1.65 | 17 | 7 | 160 | 10 | 0.12 | 0.05 | 33.3 | Да | -40 ... 175 |
|
| IXXH75N60C3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 75 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 75 | 110 | 1.85 | 33 | 72 | 105 | 80 | 2.5 | 1.07 | 750 | Да | -55 ... 175 |
|
| NGTB40N60FL2WG | IGBT-транзистор серии LF2, 600 В, 40 А |
|
ON Semiconductor |
IGBT |
600 | 40 | 100 | 2 | 84 | 40 | 177 | 70 | 0.97 | 0.44 | 83 | Да | -55 ... 175 |
|
| STGD10HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | - | 1.6 | - | - | - | - | - | - | 80 | Да | -40 ... 175 |
D-PAK |
| IXXR110N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 70 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 70 | 110 | 2.2 | 38 | 46 | 156 | 85 | 2.2 | 1.05 | 455 | Да | -55 ... 175 |
|
| NGTB40N120L3WG | IGBT-транзистор семейства Field Stop III 1200 В, 40 А |
|
ON Semiconductor |
IGBT |
1200 | 40 | 100 | 1.8 | 18 | 30 | 150 | 131 | 1.5 | 1.5 | 454 | Да | -55 ... 175 |
|
| IKP15N65H5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 30 | 25 | 1.65 | 17 | 7 | 160 | 10 | 0.12 | 0.05 | 105 | Да | -40 ... 175 |
TO-220 |
| IXXH75N60C3 | IGBT-транзистор, 600 В, 75 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 50 | 110 | 1.85 | 33 | 72 | 105 | 80 | 2.5 | 1.08 | 750 | Нет | -55 ... 175 |
|
| NGTB50N60FL2WG | IGBT-транзистор серии LF2, 600 В, 50 А |
|
ON Semiconductor |
IGBT |
600 | 50 | 100 | 2 | 100 | 47 | 237 | 67 | 1.5 | 0.46 | 208 | Да | -55 ... 175 |
|
| STGB10HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.6 | - | - | - | - | - | - | 80 | Да | -40 ... 175 |
D2-PAK |
| IXXH60N65C4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 60 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 60 | 110 | 2.2 | 37 | 78 | 133 | 30 | 3.2 | 0.83 | 455 | Нет | -55 ... 175 |
|
