Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| STGF10NC60HD | Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 6 | 100 | 1.7 | 14.2 | 5 | 72 | 85 | 31.8 | 95 | 24 | Да | -55 ... 150 |
|
| STGD10NC60HD | Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.7 | 14.2 | 5 | 72 | 85 | 31.8 | 95 | 62 | Да | -55 ... 150 |
D-PAK |
| STGB10NC60HD | Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.7 | 14.2 | 5 | 72 | 85 | 31.8 | 95 | 65 | Да | -55 ... 150 |
D2-PAK |
| STGD10NC60H | N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 2.5 | 14.2 | 5 | 72 | 85 | 31.8 | 95 | 60 | Нет | -55 ... -150 |
D-PAK |
| IKA08N65H5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 6.8 | 100 | 1.65 | 11 | 5 | 115 | 15 | 0.07 | 0.03 | 31.2 | Да | -40 ... 175 |
|
| IKP08N65H5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 11 | 100 | 1.65 | 11 | 5 | 115 | 15 | 0.07 | 0.03 | 70 | Да | -40 ... 175 |
TO-220 |
| IKA08N65F5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 6.8 | 100 | 1.6 | 10 | 5 | 116 | 20 | 0.07 | 0.02 | 31.2 | Да | -40 ... 175 |
|
| IKP08N65F5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 11 | 100 | 1.6 | 10 | 5 | 116 | 20 | 0.07 | 0.02 | 70 | Да | -40 ... 175 |
TO-220 |
| STGP10NC60H | N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 2.5 | 14.2 | 5 | 72 | 85 | 31.8 | 95 | 60 | Нет | -55 ... -150 |
TO-220 |
| STGP6NC60HD | N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 2.5 | 12 | 5 | 76 | 100 | 20 | 68 | 56 | Да | -55 ... -150 |
TO-220 |
| STGF6NC60HD | N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 3 | 100 | 2.5 | 12 | 5 | 76 | 100 | 20 | 68 | 20 | Да | -55 ... -150 |
|
| STGB6NC60HD-1 | N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 2.5 | 12 | 5 | 76 | 100 | 20 | 68 | 56 | Да | -55 ... -150 |
|
| STGB6NC60HD | N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 2.5 | 12 | 5 | 76 | 100 | 20 | 68 | 56 | Да | -55 ... -150 |
D2-PAK |
| STGD6NC60HD | N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 2.5 | 12 | 5 | 76 | 100 | 20 | 68 | 56 | Да | -55 ... -150 |
D-PAK |
| STGB6NC60H | N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 2.5 | 12 | 5 | 76 | 100 | 20 | 68 | 56 | Нет | -55 ... -150 |
D2-PAK |
| STGD10NC60K | 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.8 | 17 | 6 | 72 | 82 | 55 | 85 | 60 | Нет | -55 ... 150 |
D-PAK |
| STGP10NC60K | 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.8 | 17 | 6 | 72 | 82 | 55 | 85 | 60 | Нет | -55 ... 150 |
TO-220 |
| STGB10NC60K | 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.8 | 17 | 6 | 72 | 82 | 55 | 85 | 60 | Нет | -55 ... 150 |
D2-PAK |
| STGP8NC60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 8 А с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 8 | 100 | 2.75 | 17 | 6 | 72 | 82 | 55 | 85 | 65 | Да | -55 ... -150 |
TO-220 |
| STGF8NC60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 8 А с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 4 | 100 | 2.75 | 17 | 6 | 72 | 82 | 55 | 85 | 24 | Да | -55 ... -150 |
|
