Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 46 47 48 49 50  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
STGB3NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства Power MESH™ STMicroelectronics IGBT
600 3 100 1.5 125 150 3400 720 1100 1.15 70 Да -60 ... -175 D2-PAK
STGP14HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 14 - 2.1 - - - - - - 95 Да -40 ... -175 TO-220
STGF14HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 7 100 2.1 - - - - - - 33 Да -40 ... -175 TO-220FP
Страницы: предыдущая 1 ... 46 47 48 49 50  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019