Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| STGP10NB60SFP | 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.25 | 700 | 460 | - | 1200 | 0.6 | 5 | 25 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGB10NB60S | 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.25 | 700 | 460 | - | 1200 | 0.6 | 5 | 80 | Нет | -55 ... 150 |
D2-PAK |
| STGP10NB60S | 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.25 | 700 | 460 | - | 1200 | 0.6 | 5 | 80 | Нет | -55 ... 150 |
TO-220 |
| STGD7NB60S | N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 1.6 | 700 | 460 | - | 1200 | 0.4 | 3.5 | 55 | Нет | -65 ... -150 |
D-PAK |
| IXBT12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 110 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBH12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 110 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 90 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
| MMIX4B12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 90 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
| FGA20S140P | Быстродействующий IGBT-транзистор на 1400 В, 20 А |
|
Fairchild Semiconductor |
IGBT |
1400 | 20 | 100 | 2.4 | 20 | 301 | 400 | 130 | 0.95 | 1.39 | 136 | Нет | -55 ... 175 |
TO-3PN |
| IXSM45N100 | IGBT-транзистор, 1000 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 45 | 90 | 2.7 | 100 | 300 | 550 | 2200 | 5.4 | 25 | 300 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXSH45N100 | IGBT-транзистор, 1000 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 45 | 90 | 2.7 | 100 | 300 | 550 | 2200 | 5.4 | 25 | 300 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXBH2N250 | Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 2А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 2 | 110 | 3.15 | 30 | 280 | 74 | 178 | - | - | 32 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBT2N250 | Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 2А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 2 | 110 | 3.15 | 30 | 280 | 74 | 178 | - | - | 32 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGH10N170 | IGBT-транзистор, 1700 В, 10А, технология NPT |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 10 | 90 | 2.7 | 30 | 270 | 135 | 495 | - | - | 110 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGT10N170 | IGBT-транзистор, 1700 В, 10А, технология NPT |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 10 | 90 | 2.7 | 30 | 270 | 135 | 495 | - | - | 110 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGB10NB40LZ | IGBT-транзистор на 410 В, 20 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
410 | 10 | 100 | 1.2 | 1300 | 270 | 8000 | 1400 | 2.4 | 5 | 150 | Нет | -55 ... 175 |
D2-PAK |
| STGP10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
410 | 10 | 100 | 1.3 | 1300 | 270 | 8000 | 1400 | 2.4 | 5 | 125 | Нет | -65 ... 175 |
TO-220 |
| STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
410 | 10 | 100 | 1.3 | 1300 | 270 | 8000 | 1400 | 2.4 | 5 | 125 | Нет | -65 ... 175 |
D2-PAK |
| STGD7NB120S-1 | N-канальный IGBT-транзистор на 1200 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
1200 | 7 | 100 | 2.1 | 570 | 270 | - | 3300 | 3.2 | 15 | 55 | Нет | -65 ... -150 |
|
| IXGH25N120A | IGBT-транзистор, 1200 В, 50А |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 25 | 90 | 4 | 100 | 250 | 720 | 800 | 4.2 | 15 | 200 | Нет | -55 ... 150 |
|
