Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGN400N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 430А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.25 50 50 295 225 4.4 4.25 1000 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGK400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
 300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 1000 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
 300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 1000 Нет -55 ... 150 PLUS247
MMIX1G320N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 400А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 180 110 1.2 40 68 330 265 3.5 5.4 1000 Нет -55 ... 150 SMD
IXXK160N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 1.8 52 64 220 90 3.3 1.88 940 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXX160N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 1.8 52 64 220 90 3.3 1.88 940 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXXK160N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 2.1 52 67 197 30 3.5 1.3 940 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXX160N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 2.1 52 67 197 30 3.5 1.3 940 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXXK110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 880 Да -55 ... 175 TO-264
IXXX110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 880 Да -55 ... 175 PLUS247
IXXH110N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.35 35 46 143 30 2.3 0.6 880 Нет -55 ... 175 TO-247AD
FGY120T65S_F085 IGBT-транзистор на 650 В / 120 А, выполненный по технологии Field Stop Trench, с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом Fairchild Semiconductor IGBT
 650 220 100 1.85 53 134 102 115 6.8 3.5 862 Да -55 ... 175 TO-247
IXXH100N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 100 110 1.5 32 60 150 200 2.3 2.8 830 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXGN200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.35 42 80 430 300 2.4 4.2 830 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXXH100N60C3 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 100 110 1.68 30 65 105 115 3 1.4 830 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXGX100N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 100А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 100 90 2.5 35 250 285 435 - - 830 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK100N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 100А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 100 90 2.5 35 250 285 435 - - 830 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX120N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120А IXYS IGBT
 1200 120 110 1.85 30 75 685 680 15 58 830 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK120N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120А IXYS IGBT
 1200 120 110 1.85 30 75 685 680 15 58 830 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX120N120B3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120А, частота коммутации 3...20 кГц IXYS IGBT
 1200 120 90 2.4 34 88 315 570 6.1 10.3 830 Нет -55 ... 150 PLUS247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники