|
Группа компонентов
IGBT
Основные параметры
| VCES,В |
650
|
| Рабочий ток: IC,А |
75
|
| Рабочий ток: При TC,°C |
100
|
| VCE(sat),В |
2.1
|
| td(on) (тип.),нс |
23
|
| tr (тип.),нс |
10
|
| td(off) (тип.),нс |
120
|
| tf (тип.),нс |
7
|
| EON (тип.),мДж |
300
|
| EOFF (тип.),мДж |
70
|
| PD,Вт |
375
|
| FWD |
Да
|
| TA,°C |
от -55 до 175
|
| Корпус |
TO-247
|
Общее описание
Отличительные особенности:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер VCES: 650 В
- Максимальный ток коллектора IC: 75 А (при TC = +100°C), 150 А (при TC = +25°C)
- Низкое напряжение насыщения VCE(sat): 1.6 В при токе коллектора 75 А
- Положительный температурный коэффициент позволяет использовать несколько транзисторов в параллельном включении
- Высокое входное сопротивление
- Высокая скорость переключения
- Все транзисторы прошли тест по методике ILM(1)
- Небольшой разброс параметров между отдельными экземплярами изделия
- Максимальная температура перехода: +175°C
- Корпус TO-247, соответствующий требованиям директивы RoHS
Область применения:
- Солнечные инверторы
- Источники бесперебойного питания (UPS)
- Сварочные аппараты
- Телекоммуникационное оборудование
- Электронные коммутирующие схемы (ESS)
- Корректоры коэффициента мощности (PFC)
|
Datasheet
 FGH75T65SQD (526.7 Кб), 21.10.2016
Производитель
Где купить
Поставки и консультации:
Дистрибуторы
Дилеры
Где купить ещё
|
