Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGA12N100 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 6 100 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGP12N100A Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 900 950 1.1 4 100 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGP12N100 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 6 100 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGH12N100 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 3.5 100 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGP12N100U1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 10 100 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXGA12N100U1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 10 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXGH12N100AU1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 900 950 1.1 2.2 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH12N100U1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 3.5 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH41N60 IGBT-транзистор, 600 В, 76А IXYS IGBT
 600 41 90 1.6 40 40 800 600 0.3 15 200 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGT31N60D1 IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
 600 31 90 1.7 15 25 800 800 1 12 150 Да -55 ... 150 TO-268
IXGH31N60D1 IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
 600 31 90 1.7 15 25 800 800 1 12 150 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGT31N60 IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
 600 31 90 1.7 15 25 800 800 0.2 12 150 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH31N60 IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
 600 31 90 1.7 15 25 800 800 0.2 12 150 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGA8N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 16А IXYS IGBT
 1000 8 90 2.2 15 30 800 630 0.5 3.7 54 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGP8N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 16А IXYS IGBT
 1000 8 90 2.2 15 30 800 630 0.5 3.7 54 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXSN35N100U1 IGBT-транзистор, 1000 В, 38А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 25 90 3.5 80 150 800 2000 3.2 6.8 205 Да -55 ... 150 SOT-227 B
IXGH17N100AU1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 34А IXYS IGBT
 1000 17 90 4 100 200 770 1200 2.5 6 150 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH17N100A IGBT-транзистор, 1000 В, 34А IXYS IGBT
 1000 17 90 4 100 200 750 1200 2.5 6 150 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGM17N100A IGBT-транзистор, 1000 В, 34А IXYS IGBT
 1000 17 90 4 100 200 750 1200 2.5 6 150 Нет -55 ... 150 TO-204AE
IXGT40N120A2 IGBT-транзистор, 1200 В, 75А IXYS IGBT
 1200 40 110 2 19 36 730 1570 3.5 35 360 Нет -55 ... 150 TO-268
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники