|
Блок-схема
Группа компонентов
IGBT
Основные параметры
| VCES,В |
600
|
| Рабочий ток: IC,А |
35
|
| Рабочий ток: При TC,°C |
100
|
| VCE(sat),В |
2
|
| td(on) (тип.),нс |
72
|
| tr (тип.),нс |
40
|
| td(off) (тип.),нс |
132
|
| tf (тип.),нс |
75
|
| EON (тип.),мДж |
0.84
|
| EOFF (тип.),мДж |
0.28
|
| PD,Вт |
150
|
| FWD |
Да
|
| TA,°C |
от -55 до 175
|
| Корпус |
TO-247
|
Общее описание
Отличительные особенности:
- Очень высокая проводимость канала транзистора благодаря технологии Field Stop
- Максимальная температура перехода TJ = 175°C
- Наличие быстро восстанавливающегося демпферного диода в некоторых приборах
- Оптимальная конструкция для работы на высоких частотах переключения
- Способность выдерживать без повреждения кристалла ток короткого замыкания в течение 5 – 10 мкс
- Максимальная частота переключения: 10 – 50 кГц (серия FL2), 2 – 20 кГц (серия L2)
- Конструкция транзистора не содержит свинца
Область применения:
- Инверторы для управления электродвигателями
- Солнечные инверторы
- Источники бесперебойного питания (UPS)
- Промышленные схемы коммутации нагрузки
- Сварочное оборудование
|
Datasheet
 MRF8S21120H (505.6 Кб), 27.05.2015
Производитель
Где купить
Дистрибуторы
Дилеры
Где купить ещё
|
