Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| DS1245Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
| DS3644 | Память объемом 1КБ с программированием обработки попыток несанкционированного вмешательства | - | Maxim Integrated |
RAM |
1024 | 8 | - | -55 ... 95 |
|
| DS1254W | Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 3 ... 3.7 | 0 ... 70 |
|
| MR256A08BC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62138FV30 | Статическая память объемом 2Mb (256Kx8) |
|
Cypress |
SRAM Low Power SRAM |
256 | 8 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M48Z35 | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
| IS65LV256AL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 32Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 125 |
|
| AS6C1008 | Низкопотребляющая статическая память 128К х 8 |
|
Alliance Memory |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| DS1245AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
| K6R4008C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| DS1254Y | Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| MR256A08B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| CY62138F | Статическая память объемом 2Mb (256Kx8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| M48Z32V | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| IS62LV256AL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 32Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
| AS6C62256 | Низкопотребляющая статическая память 32К х 8 |
|
Alliance Memory |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PDIP-28 |
| DS1230Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-28 PCM-34 |
| K6R4008V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 3.3В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS65C1024AL | Малопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
ISSI |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| N01L83W2A | 1 Мбит сверхмалопотребляющая асинхронная SRAM 128К х 8 бит |
|
ON Semiconductor |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
