Главная » Документация » Микросхемы » Память » RAM » SRAM » High Speed SRAM

K6R4008C1D Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 5.0В

Блок-схема

Группа компонентов

High Speed SRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K	512
Организация: Разрядов,бит	8
Время выборки,нс	10
Ток потребления: I_CC,мА	75
Ток потребления: I_CC Shutdown,мкА	5
V_CC,В	от 4.5 до 5.5
T_A,°C	от -40 до 85
Корпус	SOJ-36 (400mil) TSOPII-44

Datasheet

K6R4008C1D (239.6 Кб), 08.05.2008

Производитель

Где купить

Datasheet

Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1652

Дата публикации: 08.05.2008 11:57
Дата редактирования: 19.01.2009 13:14

Мероприятия:

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск