Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS64WV5128BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
| BH62UV4000 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV1288BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV2568ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS63LV1024 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV5128BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV2006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV4006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV2568BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV1027 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV1288ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV5128ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV5128ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| MR1A16AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV1600 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS62C51216AL | Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV20488ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS65WV12816ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
| MR2A08A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| IS64WV204816BLL | Быстродействующая асинхронная статическая RAM-память объемом 32 Мбит с напряжением питания 3.3 В |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
