+ K6R4008V1D, Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 3.3В
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

K6R4008V1D Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 3.3В

 

Блок-схема

K6R4008V1D, Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 3.3В

Группа компонентов

High Speed SRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 512
Организация: Разрядов,бит 8
Время
выборки,нс		 8
Ток потребления: ICC,мА 90
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА 5
VCC,В от 3 до 3.6
TA,°C от -40 до 85
Корпус SOJ-36 (400mil) TSOPII-44
Datasheet
 
K6R4008V1D (239.6 Кб), 08.05.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

K6R4008V1D Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 (239.6 Кб), 08.05.2008



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 3111 		Дата публикации: 08.05.2008 11:51
Дата редактирования: 19.01.2009 13:14

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники