Компоненты группы MRAM
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
VCC В |
ICC(READ) мА |
ICC(WRITE) мА |
ICC(STB) мкА |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| EV2A16AM | 256K x 16 бит, 3.3 Вольт, асинхронная магниторезистивная RAM (MRAM) память |
|
e2v |
MRAM |
256 | 16 | 35 | 3 ... 3.6 | 55 | 105 | 9 | -55 ... 125 |
|
| EV2A16AV | 256K x 16 бит, 3.3 Вольт, асинхронная магниторезистивная RAM (MRAM) память |
|
e2v |
MRAM |
256 | 16 | 35 | 3 ... 3.6 | 55 | 105 | 9 | -40 ... 110 |
|
| MR0A08B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 8 | 35 | 3 ... 3.6 | 25 | 55 | 5000 | 0 ... 70 |
|
| MR0A08BC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 8 | 35 | 3 ... 3.6 | 25 | 55 | 5000 | -40 ... 85 |
|
| MR0A08BM | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 8 | 35 | 3 ... 3.6 | 25 | 55 | 5000 | -40 ... 125 |
|
| MR0A16A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
64 | 16 | 35 | 3 ... 3.6 | 55 | 105 | 9 | 0 ... 70 |
|
| MR0A16AV | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
64 | 16 | 35 | 3 ... 3.6 | 55 | 105 | 9 | -40 ... 105 |
|
| MR0A16AС | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
64 | 16 | 35 | 3 ... 3.6 | 55 | 105 | 9 | -40 ... 85 |
|
| MR1A16A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 35 | 3 ... 3.6 | 55 | 105 | 9 | 0 ... 70 |
|
| MR1A16AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 35 | 3 ... 3.6 | 55 | 105 | 9 | -40 ... 85 |
|
| MR1A16AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 35 | 3 ... 3.6 | 55 | 105 | 9 | -40 ... 85 |
|
| MR1A16AV | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 35 | 3 ... 3.6 | 55 | 105 | 9 | -40 ... 105 |
|
| MR256A08B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
32 | 8 | 35 | 3 ... 3.6 | 30 | 65 | 5000 | 0 ... 70 |
|
| MR256A08BC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
32 | 8 | 35 | 3 ... 3.6 | 30 | 65 | 5000 | -40 ... 85 |
|
| MR256A08BM | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
32 | 8 | 35 | 3 ... 3.6 | 30 | 65 | 5000 | -40 ... 125 |
|
| MR2A08A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 35 | 3 ... 3.6 | 33 | 50 | 8 | 0 ... 70 |
|
| MR2A08AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 35 | 3 ... 3.6 | 33 | 50 | 8 | -40 ... 85 |
|
| MR2A08AM | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 35 | 3 ... 3.6 | 33 | 50 | 8 | -40 ... 125 |
|
| MR2A16A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 256К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
256 | 16 | 35 | 3 ... 3.6 | 55 | 105 | 9 | 0 ... 70 |
|
| MR2A16AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 256К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
256 | 16 | 35 | 3 ... 3.6 | 55 | 105 | 9 | -40 ... 85 |
|
