Компоненты группы RAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 39 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
CYF1036V FIFO с высокой плотностью памяти объемом 36 Мбит Cypress FIFO
- - 1.7 ... 1.9 -40 ... 85 FBGA-209
M48Z512A Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 4.75 ... 5.5 -40 ... 85 PMDIP-32
IS62WV6416BLL Малопотребляющее статическое ОЗУ 64Кх16 ISSI High Speed SRAM
64 16 2.5 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
R1LV0414D-7L 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) Renesas Low Power SRAM
256 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPII-44
IS61NVP12836B Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 128Кх36 ISSI High Speed SRAM
128 36 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
AS6C1008L Микропотребляющая статическая память 128К х 8 Alliance Memory Low Power SRAM
128 8 2.7 ... 5.5 -40 ... 85 PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TFBGA-36
IDT72V05L25JI 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 8K x 9, 25 нс, -40°C...+85°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 3 ... 3.6 -40 ... 85 PLCC-32
DS1249AB Энергонезависимая SRAM емкостью 2048Кб Maxim Integrated NVSRAM
256 8 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-32
DS1248W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
IS61LPS12836A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 128Кх36 ISSI High Speed SRAM
128 36 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
AS7C1028 Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
256 4 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-28 (300mil)
IS61LV256AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 ISSI High Speed SRAM
512 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 SOJ-28 (300mil)
TSOP-28
MR256A08BM Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит Everspin Technologies MRAM
32 8 3 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
IS61VF51218A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх18 ISSI High Speed SRAM
512 18 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
CY62138VN Статическая память объемом 2Mb (256Kx8) Cypress Low Power SRAM
256 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-36
CYF1018V FIFO с высокой плотностью памяти объемом 18 Мбит Cypress FIFO
- - 1.7 ... 1.9 -40 ... 85 FBGA-209
IS62WV6416ALL Малопотребляющее статическое ОЗУ 64Кх16 ISSI High Speed SRAM
64 16 1.7 ... 2.2 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
R1LV0414D-5S 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) Renesas Low Power SRAM
256 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPII-44
IS61NLP25618A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 256Кх18 ISSI High Speed SRAM
256 18 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
AS6C1016 Низкопотребляющая статическая память 64К х 16 Alliance Memory Low Power SRAM
64 16 2.7 ... 5.5 -40 ... 85 TFBGA-48
TSOPII-44
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 39 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019