Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
IS62C51216AL | Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 | ISSI |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
CY62138F | Статическая память объемом 2Mb (256Kx8) | Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
AS6C62256 | Низкопотребляющая статическая память 32К х 8 | Alliance Memory |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PDIP-28 |
|
DS1230Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-28 PCM-34 |
|
AS7C1026B | Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 5В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IDT7200L25JI | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 25 нс, -40°C...+85°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IS65C1024AL | Малопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх8 | ISSI |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
|
M48Z2M1Y | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2048 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
AS6C6264 | Низкопотребляющая статическая память 8К х 8 | Alliance Memory |
Low Power SRAM |
8 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PDIP-28 |
|
K6R4016C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 с напряжением питания 5.0В | Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
AS7C1025C | Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 5В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IDT7200L25SOGI | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 25 нс, -40°C...+85°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-28 |
|
DS1251Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кбит со скрытыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
|
IDT7201LA20TDB | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 20 нс, -55°C...+125°C, MIL-STD-883, Class B | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
CDIP-28 |
|
CY7C1006BN | Статическая память 256K x 4 | Cypress |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 4.5 ... 5.5 | -45 ... 85 |
|
|
DS1225AD | Энергонезависимая SRAM емкостью 64Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-28 |
|
AS7C1025B | Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 5В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IDT7200L25TP | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 25 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
DS1248Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 1024кбит со скрытыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
|
IS62C1024AL | Малопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх8 | ISSI |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|