Компоненты группы RAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 39 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
IS62C51216AL Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 ISSI Low Power SRAM
512 16 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
CY62138F Статическая память объемом 2Mb (256Kx8) Cypress Low Power SRAM
256 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-32
TSOP-32
AS6C62256 Низкопотребляющая статическая память 32К х 8 Alliance Memory Low Power SRAM
32 8 2.7 ... 5.5 -40 ... 85 PDIP-28
SOP-28
STSOP-28
DS1230Y Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб Maxim Integrated NVSRAM
32 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
AS7C1026B Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
64 16 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-44
TSOPII-44
IDT7200L25JI Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 25 нс, -40°C...+85°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PLCC-32
IS65C1024AL Малопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх8 ISSI Low Power SRAM
128 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOP-32
TSOPI-32
M48Z2M1Y Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
2048 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PLDIP-36
AS6C6264 Низкопотребляющая статическая память 8К х 8 Alliance Memory Low Power SRAM
8 8 2.7 ... 5.5 -40 ... 85 PDIP-28
SOP-28
STSOP-28
K6R4016C1D Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 с напряжением питания 5.0В Samsung Electronics High Speed SRAM
256 16 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-44
TFBGA-48
TSOPII-44
AS7C1025C Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
128 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
IDT7200L25SOGI Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 25 нс, -40°C...+85°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-28
DS1251Y Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
512 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
IDT7201LA20TDB Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 20 нс, -55°C...+125°C, MIL-STD-883, Class B IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 -55 ... 125 CDIP-28
CY7C1006BN Статическая память 256K x 4 Cypress High Speed SRAM
256 4 4.5 ... 5.5 -45 ... 85 SOJ-28 (300mil)
DS1225AD Энергонезависимая SRAM емкостью 64Кб Maxim Integrated NVSRAM
8 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-28
AS7C1025B Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
128 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
IDT7200L25TP Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 25 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 SDIP-28
DS1248Y Энергонезависимая SRAM емкостью 1024кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
IS62C1024AL Малопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх8 ISSI Low Power SRAM
128 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOP-32
TSOPI-32
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 39 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019